基于横场Ising模型插层铁电薄膜相变性质数值计算 (2010年)

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文件名称：基于横场Ising模型插层铁电薄膜相变性质数值计算 (2010年)
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更新时间：2021-05-21 15:47:56
自然科学 论文 基于横场伊辛模型的平均场近似理论讨论了铁电薄膜（中间具有不同材料插入层）二级相变性质。运用该理论，首次推导得到了一个可用于研究任意层数铁电薄膜（中间具有不同插入材料层）的相变性质的递归公式。并运用该公式研究了体材料（A）和插层材料（B）的交换相互作用参量和横场参量对相图的影响。计算结果表明，由于插层材料B参数值的变化，整个铁电薄膜相变性质，不同铁电薄膜层的极化，横场参量过渡值均敏感的发生变化。