文件名称：ZnO压敏陶瓷反射光谱的研究 (2004年)
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更新时间：2024-06-01 04:37:39
工程技术 论文
利用简便的粉末反射光谱法,测量了不同烧结温度下 ZnO压敏陶瓷的反射光谱,并对其影响机理进 行了探讨 .研究结果表明,同纯 ZnO相比,压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移,红移量随烧结温度的提高而 增大;吸收边斜率随着烧结温度升高而变小 .吸收边的变化是烧结过程中 ZnO晶粒表面包覆程度和元素相 互扩散随温度变化的结果 .高温烧结的试样在波长为566 nm、6 10 nm、6 50 nm处存在光反射谷,反射强度随 烧结温度升高而降低 .烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因,缺陷类型与温度变化无关,