文件名称：ZnO压敏陶瓷实际Bi元素的含量 (2007年)
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更新时间：2024-06-04 10:17:44
自然科学 论文
建立了压敏陶瓷实际Bi元素含量检测品质的控制方法，讨论了烧结方式、温度及保温时间对Bi元素挥发量的影响，研究了实际Bi元素含量对压敏陶瓷显微结构、电性能的影响。实验表明，采用电感耦合等离子体光学发射光谱仪检测样品Bi元素含量，实际检测极限为1.0×10-6。通过优化烧结，有效控制了Bi元素挥发，从而获得均匀的显微结构和预定晶界，得到电学性能优良的znO压敏陶瓷。