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文件名称：埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响 (2011年)
文件大小：1.02MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-12 22:45:38
工程技术 论文
通过模拟局部氧化隔离SOI NMOSFET器件硅膜和埋氧界面处的应力分布随埋氧厚度的变化情况,分析其对硼杂质再分布的影响机制,得出SOI NMOSFET器件阈值电压对埋氧厚度的依赖关系.模拟结果表明,在原工艺流程完成后再进行一次退火处理,可以减弱应力对器件阈值电压的影响.