文件名称：热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响 (2005年)
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更新时间：2024-06-09 08:24:12
自然科学 论文
以Pb（（X3CCH3）2?3H2O，Sc（OOCCH3）3?xH2O和Ta（OC2H5）5为原材料，用Sol-Gel方法在Pt/Ti/SO3/Si（100）基片上成功地制备出厚度达1.5μm，无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3（PSr）铁电薄膜。对（220）主晶向生长的PST薄膜分别在10～20min、650～800℃范围内进行热处理，结果表明：热处理温度在750℃时，PST薄膜转变为较为完整的AB03型钙钛矿晶相结构，更高的温度将提高晶粒在（220）方向的取向度。实验发现，最佳热处理条件应为750℃