不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究 (2007年)

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文件名称：不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究 (2007年)

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更新时间：2024-06-09 23:32:37

自然科学 论文

采用CF4/O2作为刻蚀气体，对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究。结果表明，随着工作压强的增加，ICP刻蚀SiC材料的速率先缓慢增加，然后急剧降低。通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含量均有所增加，表面污染加剧，刻蚀引入的损伤随着工作压强的增加而增加。