ICP刻蚀硅形貌控制研究* (2011年)

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文件名称：ICP刻蚀硅形貌控制研究* (2011年)
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更新时间：2021-05-09 17:46:48
工程技术 论文 硅的刻蚀形貌控制是MEMs器件加工中的关键技术之一，形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果，任何影响刻蚀和钝化反应的因素都会影响到刻蚀形貌。采用中科院微电子研发中心研制的基于化学平衡原理的ICP-98A等离子刻蚀机，对ICP刻蚀当中影响形貌的关键工艺参数进行了研究和分析，研究了源功率RF1、射频功率RF2及气体（SF6和C4F8）比例对刻蚀形貌的影响，分析了bowing现象产生机制，并给出了降低这种现象的工艺方法。该研究对提高硅的ICP刻蚀形貌控制具有重要的指导意义。