热丝化学气相沉积法低温制备立方碳化硅薄膜 (2005年)

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文件名称：热丝化学气相沉积法低温制备立方碳化硅薄膜 (2005年)

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更新时间：2024-06-03 16:16:07

自然科学 论文

采用热丝化学气相沉积法在Si（100）衬底上，于较低的衬底温度（400℃）下，制备出良好结晶。经对样品进行的X射线衍射（XRD），以及傅立叶变换红外光谱（FTIR）检测，证实该沉积薄膜为立方碳化硅。原子力显微镜（AFM）测试结果表明，所获样品晶粒大小为纳米尺度。