文件名称：感应耦合化学气相沉积高速制备微晶硅薄膜 (2013年)
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更新时间：2024-05-13 20:58:28
工程技术 论文
采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜,使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度(Ni)可以达到1011-1012cm-3,而电子温度(Te)约在2eV,且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃衬底上,研究了功率和气压对其结构和性能的影响。通过在一定SiH4∶B2H6∶H2流量比例下优化工艺参数,结果能在高沉积速率1nm/s的条件下制备高品质微晶硅薄膜。