文件名称：薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）
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更新时间：2024-01-28 03:37:30
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较高压力的热量，从而产生了更可再现的薄膜，其中薄膜厚度可以通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高，密度更高，并且能够生长更高品质的绝缘体薄膜。PVD处理使用通过某种电能气化的固体前驱体金属。然后将气化的原子转移到衬底上。该过程使用石英晶体速率监控器控制膜的速率和厚度来管理厚度。抽气室至较低的液位将