影响NTD硅掺杂精度的因素 (1987年)

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文件名称：影响NTD硅掺杂精度的因素 (1987年)

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更新时间：2024-05-14 20:38:12

自然科学 论文

本文在大量实验测量的基础上，对影响ＮＴＤ硅掺杂精度的因素作了较为详细的研究，给出了一些定量和定性的结果。用这些结果指导清华大学反应堆上ＮＴＤ硅的生产得到了满意的掺杂精度．在大批量的辐照条件下．对各种目标电阻率硅单晶的掺一杂，电阻率命中率＞９０％．断面电阻率不均匀度＜５％．