文件名称：围栅金属氧化物半导体场效应管电流模型 (2010年)
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更新时间：2024-07-09 08:09:48
工程技术 论文
针对深亚微米级围栅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）处于堆积或反型时*载流子对表面势影响显著的问题，提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET表面势和电流解析模型。考虑耗尽电荷和*载流子的影响，采用逐次沟道近似法求解电势泊松方程，得到围栅MOSFET从堆积到耗尽，再到强反型的表面势模型，最后通过源漏两端的表面势得到了围栅器件从线性区到饱和区的连续电流模型，并利用器件数值仿真软件Sentaurus对表面势和电流模型进行了验证。研究结果表明，表面势在堆积区和强反型区分别趋于饱和，在耗尽区和弱反型区随栅压