文件名称：堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型? (2014年)
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更新时间：2024-06-08 11:48:01
自然科学 论文
提出了一种堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)新器件结构. 采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程, 建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压的解析模型. 该结构的应变硅沟道有两个掺杂区域, 和常规双栅器件(均匀掺杂沟道)比较, 沟道表面势呈阶梯电势分布, 能进一步提高载流子迁移率; 探讨了漏源电压对短沟道效应的影响;分析得到阈值电压随缓冲层Ge组分的