高侧 N 沟道金属氧化物半导体 bq76200

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文件名称：高侧 N 沟道金属氧化物半导体 bq76200

文件大小：1.4MB

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更新时间：2022-05-16 05:32:40

bq7620 76200

TI自举升压芯片，用于关断高侧N-MOS，高压电池组前端充电/放电高侧 NFET 驱动器