特性曲线-微机原理课件

时间:2021-04-25 00:09:50
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文件名称:特性曲线-微机原理课件
文件大小:7.33MB
文件格式:PPT
更新时间:2021-04-25 00:09:50
微机原理 特性曲线  三极管输入特性曲线 1. Uce=0V时,发射极与集电极短路,发射结与集电结均正偏,实际上是两个二极管并联的正向特性曲线。 2. 当Uce ≥1V时, Ucb= Uce - Ube >0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, IC / IB 增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但Uce再增加时,曲线右移很不明显。通常只画一条。 ② 非线性区 ① 死区 ③ 线性区 正常工作区,发射极正偏 NPN Si: Ube= 0.6~0.7V PNP Ge: Ube= -0.2~-0.3V 输入特性曲线分三个区 ① ② ③

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