文件名称:反向特性-微机原理课件
文件大小:7.33MB
文件格式:PPT
更新时间:2024-05-14 17:56:26
微机原理
2.反向特性 IS= 硅管小于0.1微安 锗管几十到几百微安 (1) 当 时, 。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (2) 当 时, 反向电流急剧增大, 二极管反向击穿。 击穿的类型: 根据击穿可逆性分为 电击穿 热击穿 (BR) D U u < S D I i » (BR) D U u >
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更新时间:2024-05-14 17:56:26
微机原理
2.反向特性 IS= 硅管小于0.1微安 锗管几十到几百微安 (1) 当 时, 。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (2) 当 时, 反向电流急剧增大, 二极管反向击穿。 击穿的类型: 根据击穿可逆性分为 电击穿 热击穿 (BR) D U u < S D I i » (BR) D U u >