文件名称：外部振荡器模式-windows internals part 2(6th) 无水印pdf
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更新时间：2024-06-27 11:57:42
PIC18F46k80 中文资料
3.5 外部振荡器模式 3.5.1 晶振 / 陶瓷谐振器 （HS 模式） 在 HS 或 HSPLL 振荡器模式下，将晶振或陶瓷谐振 器连接在OSC1 和OSC2引脚之间来产生振荡信号。 图 3-4 显示了引脚连接方式。 振荡器的设计要求使用平行切割的晶体。 表 3-2： 陶瓷谐振器的电容选择 表 3-3： 晶振的电容选择 图 3-4： 晶振 / 陶瓷谐振器工作原理 （HS 或 HSPLL 配置） 注： 使用顺序切割的晶体，可能会使振荡器产 生的频率超出晶*造商所给的规范。 使用的典型电容值： 模式 频率 OSC1 OSC2 HS 8.0 MHz 16.0 MHz 27 pF 22 pF 27 pF 22 pF 上述电容值仅供设计参考。 要达到理想的振荡器工作状况，可能需要不同的电容 值。用户应在应用要求的 VDD 和温度范围内测试振荡 器的性能。请参见以下应用笔记以获取振荡器的相关 信息： • AN588， “PIC® Microcontroller Oscillator Design Guide” • AN826， “Crystal Oscillator Basics and Crystal Selection for rfPIC® and PIC® Devices” • AN849， “Basic PIC® Oscillator Design” • AN943， “Practical PIC® Oscillator Analysis and Design” • AN949， “Making Your Oscillator Work” 更多信息，请参见表 3-3 下方的 “ 注 ”。 振荡器 类型 晶振频率 已测试的典型电容值： C1 C2 HS 4 MHz 27 pF 27 pF 8 MHz 22 pF 22 pF 20 MHz 15 pF 15 pF 上述电容值仅供设计参考。 要达到理想的振荡器工作状况，可能需要不同的电容 值。用户应在应用要求的 VDD 和温度范围内测试振荡 器的性能。 请参见表 3-2中列出的Microchip应用笔记以获取振荡 器的相关信息。更多信息，请参见本表下方的 “ 注 ”。 注 1：电容值越大，振荡器的稳定性越高，但同 时起振时间也越长。 2：因为每种谐振器 / 晶振都有其自身特性， 用户应当向谐振器 / 晶振制造商咨询外部 元件的适当值。 3：可能需要使用电阻 Rs 以避免对低驱动规 格的晶体造成过驱动。 4：应始终验证振荡器在应用要求的VDD和温 度范围内的性能。 注 1： 关于C1和C2的初始值，请参见表3-2和表3-3。 2： 对于AT条形切割的晶体，可能需要串联一个电 阻 （RS）。 3： RF 的值根据所选的振荡器模式而有所不同。 C1(1) C2(1) XTAL OSC2 OSC1 RF(3) 休眠 至 逻辑 RS(2) 内部 PIC18F66K80DS39977C_CN 第 60 页 初稿 2011 Microchip Technology Inc.