用Zn掺杂和热处理改善SnS薄膜的电学特性* (2013年)

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文件名称：用Zn掺杂和热处理改善SnS薄膜的电学特性* (2013年)
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更新时间：2021-05-18 07:54:30
工程技术 论文 用质量比为1％：0．2％(质量分数)的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜，氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后，得到简单正交晶系SnS多晶薄膜，薄膜的电阻率为10 3 Ω・cm，选择2％和4％(质量分数)的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性。研究表明，SnS：Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min，掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相，SnS：Zn薄膜(2％和4％(质量分数))的电阻率在1．8528×10-3～4．944×10-4 Q・cm之间，导电类型