Zn掺杂Sn2S3薄膜的特性* (2012年)

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文件名称：Zn掺杂Sn2S3薄膜的特性* (2012年)
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更新时间：2021-05-21 06:54:51
工程技术 论文 高纯Sn和S粉按1：0．41％(质量分数)配比，均匀掺入9％(质量分数)的高纯Zn粉，单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理，得到Sn2S3：Zn薄膜。 XRD分析显示，380℃，55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn 9％(质量分数)的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好，平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35．69nm增加到58．80nm。 Sn2S3薄膜的导电类型均为N型，掺Zn后薄膜的电阻率为60．5(Ω・cm)，比未掺杂时降