文件名称：热处理对PZT薄膜织构形成的影响 (2008年)
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更新时间：2024-05-12 03:15:10
自然科学 论文
分别采用传统热处理(CFA)和快速热处理(RTA)对室温溅射在Pt(111)／Ti／SiO2／Si(100)基片上的Pb(zr，Ti)O3(PZT)进行了晶化处理．结果表明：RTA倾向于形成(111)占优取向，而CFA倾向于形成(100)占优取向．不同工艺条件下的取向选择来源于形核机制的不同．在CFA条件下，形核在薄膜表面的 PbO(100)处发生，导致(100)占优取向；在RTA条件下，形核在基片附近的Pt3Pb(111)／PZT界面处发生，导致(111)占优取向．铁电性能测试表明，由RTA处理得到的具