薄层SOI场p沟道LDMOS对RON,sp和BV的后栅极效应 时间:2021-04-07 18:09:58 【文件属性】: 文件名称:薄层SOI场p沟道LDMOS对RON,sp和BV的后栅极效应 文件大小:896KB 文件格式:PDF 更新时间:2021-04-07 18:09:58 研究论文 薄层SOI场p沟道LDMOS对RON,sp和BV的后栅极效应 立即下载