具有超低比导通电阻的RESURF增强型p沟道沟道SOI LDMOS

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文件名称：具有超低比导通电阻的RESURF增强型p沟道沟道SOI LDMOS
文件大小：3.5MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-04-30 09:05:27
Back gate (BG); breakdown voltage 低比导通电阻（R-ON，R-sp）绝缘体上硅（SOI）p沟道LDMOS（pLDMOS），具有增强的降低的场效应（RESURF）效应和背栅的自屏蔽效应（BG）偏见已提出并进行了调查。 它具有一个氧化物沟槽和围绕该沟槽的p型漂移区，该区位于n-SOI层上。 在关闭状态下，首先，扩展的沟槽栅极还充当栅极场板； 其次，p-漂移层和n-SOI层形成折叠的RESURF结构。 两者都增加了p型漂移的掺杂剂量并调节电场（电场）的分布。 第三，氧化物沟槽不仅减小了器件间距，而且增强了电场强度。 所有这些都导致了低R-ON，R-SP和高击穿电压（BV），同时减小了器件间距。 在SOI /埋入氧化物（BOX）界面上感应的*电荷不仅可以增强BOX中的电场强度，而且可以在很大范围内有效屏蔽BG偏置效应的影响。 拟议的pLDMOS在BV与R-ON，R-SP之间的折衷方面实现了最新的改进。 与p-top SOI pLDMOS相比，该器件在相同BV下将R-ON，R-SP降低了79％。 证明并详细分析了对BG偏倚效应的强免疫力。