耐高温压阻力敏硅芯片及静电键合工艺 (2011年)

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文件名称：耐高温压阻力敏硅芯片及静电键合工艺 (2011年)
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更新时间：2021-05-15 04:27:58
自然科学 论文 采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了平膜型硅隔离(SOI)耐高温压阻力敏硅芯片，采用静电键合工艺将该力敏硅芯片封装在硼硅玻璃环上，制作出倒杯式弹性敏感单元．分析了静电键合时力敏硅芯片与玻璃环的对准偏差对力敏硅芯片非线性的影响；实验验证了静电键合工艺对硅芯片温度性能的影响以及制作的耐高温压力传感器的性能．结果表明，对准偏差对硅芯片的非线性有较大影响；静电键合工艺对硅芯片的零位时漂和热零点漂移影响较小；制作的耐高温压力传感器具有优良的性能指标，能满足实际的工程应用需求．