Nd掺杂对 Bi 4 Ti 3 O 12 单晶的结构 和电学性能的影响 (2008年)

【文件属性】：
文件名称：Nd掺杂对 Bi 4 Ti 3 O 12 单晶的结构 和电学性能的影响 (2008年)
文件大小：637KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-25 19:07:03
自然科学 论文 采用高温溶液生长法生长铁电 Bi 4 - x Nd x Ti 3 O 12 ( BNdT)单晶,并研究了 BNdT的结构和电学性能. XRD结构精修的结果表明 Nd掺杂将导致晶格常数和晶胞体积发生变化,铁电性能的测试表明 Nd掺杂降低了 BNdT单晶的剩余极化, BNdT的自发极化的估算和铁电测量结果有着相同的变化趋势. Nd的 A位掺杂同时也导致 BNdT单晶沿各个方向漏电流密度的减小,而由于( Bi 2 O 2 ) 2 +层的存在, BNdT单晶沿 c方向显示出更低的漏电流密度.