文件名称：氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化 (2010年)
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更新时间：2024-06-05 18:34:14
自然科学 论文
通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理随着充H含量的增加， PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低，当陶瓷中总H的质量分数为11.2 × 10-6时电阻率降至1.51×109 Ω・cm，介于半导体和绝缘体之间．随着H含量进一步升高，霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体．第一性原理计算表明，当进入Pb(Zr0.5Ti0.5)O3晶格的H质量分数等于临界值(96×10-6)时，[Pb(Zr0.5Ti0.5)O3]32H系统变成了半导体；随着H含量的升高，态密度图向低