铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究* (2013年)

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文件名称：铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究* (2013年)
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更新时间：2021-05-18 08:22:57
工程技术 论文 采用传统固相烧结法制备In2O3。掺杂的锆钛酸铅(PUT)铁电陶瓷，研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响。研究结果表明，随着In2O3掺杂量的增加，PZT材料在准同型相界处三方相增加四方相减少，适量掺入In2O3有利于晶粒均匀生长。在不同的铟掺杂剂量下，PZT陶瓷材料分别具有最佳的铁电及压电性能。当铟掺杂量为0．1％(质量分数)时，PZT材料具有最佳的铁电性能，其剩余极化强度为23．43#C／cm2，矫顽场为9．783kV／cm。当铟掺杂量为0．