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文件名称：胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其 C-V特性 (2010年)
文件大小：675KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-11 12:34:58
自然科学 论文
通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备 了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体( MOS)结构,并研 究了其C-V特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6～7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅 MOS结构 存在3 V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅 MOS结构可以在非挥发性存储器研究 方面展现巨大的应用前景。