氮化硅的反应离子刻蚀研究 (2009年)

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文件名称：氮化硅的反应离子刻蚀研究 (2009年)

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更新时间：2024-05-30 04:13:12

工程技术 论文

采用CHF3、CHF3+cF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验，研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比，比较刻蚀结果，最终获得了刻蚀速率为119 nm／min，均匀性为0.6％，对光刻胶选择比为3.62的刻蚀氮化硅的优化工艺。