文件名称：双势垒中类氢杂质位置变化对量子隧穿的影响 (2007年)
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更新时间：2024-06-07 20:37:32
自然科学 论文
运用求解任意势中波函数和转移矩阵方法相结合的方法,讨论双势垒结构中类氢杂质位置变化对电子共振隧穿的影响,计算得到电子的共振能级、波函数、透射系数。结果表明:杂质会使双势垒结构的有效势阱加深,从而使得电子的共振能量向低能区移动。电子在势阱中的平均位置越靠近杂质中心所在的位置,相应的有效势阱越深,使得共振峰的能量越低。类氢杂质在势阱*时,处于第一激发态的电子共振能量最高,而处于第二激发态的电子共振能量最低。