文件名称：膜的相结构对 CuInSe2薄膜性能的影响 (2004年)
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更新时间：2024-06-08 22:18:44
自然科学 论文
为考察溅射功率对 Cu-In薄膜中相结构以及相应的 CuInSe2(简称 CIS)薄膜性能的影响,采用中频交流磁控溅射方法沉积 Cu-In薄膜,并采用固态硒化方法形成 CIS薄膜。采用 SEM和 EDX观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用 XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硒化中的反应动力学过程。结果表明,在不同的溅射功率条件下, Cu-In预制膜以 Cu11In9相或 Cu11In9和 CuIn的混合相存在。由Cu11In9和 CuIn混合相薄膜形成的 CIS薄膜具有单一的CuInSe2相黄铜矿相结