直流反应磁控溅射WO3薄膜气敏特性研究 (2007年)

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文件名称：直流反应磁控溅射WO3薄膜气敏特性研究 (2007年)
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更新时间：2021-04-27 04:19:58
工程技术 论文 用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器，通过XRD，SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析，研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系．实验得到的薄膜粒径大小约30-50 nm，结果表明：在未抛光的三氧化二铝基片上沉积厚度为40 nm的WO3薄膜，经过400℃退火，在体积分数为5×10-5 NH3中的灵敏度达到300，而且气体选择性好，响应-恢复时间短，可以作为理想的氨敏元件．