文件名称：SiCl4-Zn体系硅化学气相沉积的化学机理 (2013年)
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更新时间：2024-05-16 19:48:26
工程技术 论文
基于MP2/6-311G（d，p）方法，计算并得到SiCl4锌还原各反应通道上各驻点的几何构型、振动频率和能量。根据密度泛函理论，采用广义密度梯度近似和总体能量平面波赝势方法结合周期性平板模型，研究反应驻点在Si（100）面上的吸附、解离及锌还原过程。结果表明：衬底硅参与SiCl4锌还原反应，SiCl4易在顶位吸附解离成―SiCl3和―Cl*基；当硅基表面有―Cl*基吸附时，气相中的Zn原子或硅基面吸附的―ZnCl*基更容易与―Cl*基结合，而不是与含氯的硅*基（―SiCln，n=1～3）结合。