文件名称：基于移动掩模曝光的聚酰亚胺连续微结构刻蚀工艺研究
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更新时间：2024-05-27 08:24:08
微透镜; 移动掩膜曝光; 反应离子刻蚀; 等比刻蚀; 聚酰亚胺
为实现在聚酰亚胺薄膜上制备连续面形的微透镜结构，开发了一种薄膜光刻刻蚀的工艺方法．首先利用移动掩模曝光得到连续面形的光刻胶微浮雕结构，再通过反应离子刻蚀技术将微结构高保真度、低粗糙度地转移到ＰＩ薄膜上．为解决刻蚀过程中最关键的等比刻蚀问题，分别研究了刻蚀气体组分的优选、气体组分配比和气体流量的优化等对等比刻蚀的影响．实验结果表明：在一定的刻蚀条件（如射频功率、腔室压强和自偏压）下，Ｏ２＋ＳＦ６的混合工作气体中，Ｏ２为一定值，随着ＳＦ６占的比例增加至１３．０４％，总流量为４６ｓｃｃｍ的优化值时，实现了刻蚀速率和刻蚀比分别为１３６ｎｍ／ｍｉｎ和１∶１．０２，刻蚀误差仅为２．３％的较好各向异性刻蚀．通过实验室搭建的焦距测试系统，证明了该方法在ＰＩ薄膜上制
备的微透镜阵列与石英上具有相同的光学特性．