文件名称：Ge+注入Si1-xGex/Si异质结的退火行为 (2005年)
文件大小：1.35MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-30 14:14:39
自然科学 论文
在注入能量为100keV时，将注入剂量为5.3×l016/cm2的Ge+注入（001）SIMOX硅膜中制备Si1-X-Gex/Si异质结；然后，对样品进行碘钨灯快速热退火，退火温度为700～1050℃，退火时间为5～30min。对样品的（004）和（113）面X射线衍射数据进行计算和分析，得出退火温度为1000℃、退火时间为30min为最佳退火条件。在此退火条件下，假设固相外延生长为赝晶生长，90%的注入Ge+位于替代位置，若同时考虑应变弛豫，则位于替代位置的Ge+达到理论最大值的82%，共格因子为0.4