重掺杂硅锗锗在中红外范围内的ε交叉波长调谐研究

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文件名称：重掺杂硅锗锗在中红外范围内的ε交叉波长调谐研究
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更新时间：2021-04-02 09:52:38
研究论文 在本文中，我们证明了n型重掺杂锗（Ge）可以用作CMOS兼容的介电常数交叉波长（在该波长处介电常数会改变符号）在宽范围内可调整的零ε值。高掺杂浓度的掺锑（Sb）的Ge膜已经通过分子束外延（MBE）Craft.io在硅衬底上高度结晶生长。 我们的结果表明，通过同时调节薄膜的载流子浓度和结晶度，可以很好地调节掺杂锗的交叉波长。 通过优化掺杂剂通量和衬底温度，最大载流子浓度可高达1.61020 cm3，从而导致4.31μm的非常短的交叉波长，这在IV组半导体中很难实现。 重掺杂Craft.io还使得可以从锗薄膜的直接能带跃迁中观察到室温光致发光（PL）。