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文件名称：室温下硅与硅锗合金的热电性能研究 (2010年)
文件大小：269KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-27 12:18:54
自然科学 论文
采用第一性原理方法研究在温度为300 K时，硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能，发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大，但由于其热导率也高，故不是良好的热电材料，但若与其同族的元素锗形成合金，就可使材料的热导率得到显著下降，伴随而来的载流子迁移率的下降则远不如热导率明显，从而可获得较大的热电优值，而且在硅锗合金中锗含量不同时，热电优值也会有变化．