文件名称：天然锗纳米晶的制备与中子擅变掺杂研究 (2011年)
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更新时间：2024-06-08 16:56:25
自然科学 论文
采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品．通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着 Ge纳米晶受到的应力减小．当退火温度达到700℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱．采用中子擅变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质．薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光．