文件名称：退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响 (2009年)
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更新时间：2024-07-05 01:51:09
自然科学 论文
采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔，用高精度扫描电镜观察孔内结构，发现片状的纳米结构。用荧光光谱仪测其光致荧光谱，在705nm处出现较强的光致荧光谱（PL）。对片状结构在800℃下进行退火20min后，其PL光谱明显蓝移至575nm。退火40min后，在725nm处有较宽的PL光谱，同时，在606nm处有一尖锐的PL光谱。利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释PL光谱的产生。