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文件名称：脉冲激光沉积法制备的Pb(Zr0 .4Ti0 .6)O3铁电薄膜漏电机理 (2009年)
文件大小：1.18MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-18 23:00:49
自然科学 论文
利用准分子脉冲激光器在 Pt/Ti/SiO2 /Si(111)衬底上制备了 Pb(Zr0 .4 Ti0 .6 )O3 (PZT)铁电薄 膜 。利用掩膜技术,采用磁控溅射法在 PZT薄膜上生长 Pt上电极,构架了 Pt/PZT/Pt铁电电容器异质结 。 采用X射线衍射和电容耦合测试技术分别表征了PZT铁电薄膜的微结构和电学性能 。研究发现 :在5 V的 测试电压下,在560℃较低的沉积温度下生长的 PZT薄膜电容器的剩余极化强度为187 C/m2、矫顽电压为 2 .0 V、漏电流密度为2 .5×10-5 A