新型低功耗QSBDI红外读出电路设计 (2007年)

时间:2024-06-01 17:03:06
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文件名称:新型低功耗QSBDI红外读出电路设计 (2007年)

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更新时间:2024-06-01 17:03:06

自然科学 论文

提出了一种新型红外读出电路的像素结构—四像素共用BDI结构(Quad-Share Buffered Direct-Injection: QSBDI)。在这种电路结构中,4个相邻的像素共用一个反馈放大器。在开关的控制下,像素可以实现积分然后读出 (ITR )和积分同时读出(IWR)功能。在30 μm x 30μm的像素面积中,实现了略大于0.9 pF的电容和4.2 pC的电荷存储能力,平均功耗只有500 nW。在实现低功耗的同时,该结构使像素级的固定模式噪声(FPN)只来源于局部的失配,与整个像素阵列的失配


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