文件名称：宽带隙Cu( In,Al) Se2薄膜的制备及表征 (2011年)
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更新时间：2024-05-18 23:31:39
自然科学 论文
以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2( CIS)前驱体薄膜,通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜,经硒化退火后在氧化铟锡(ITO)基底上制备了Cu( InAl) Se2( CIAS)薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)对其形貌、结构、成分及光学吸收性质进行了表征.结果表明,制备的CIAS薄膜颗粒均匀,表面平整致密,呈黄铜矿结构.薄膜在可见光区具有良好的吸收,带隙约为1.65 eV.