文件名称：基于CMOS工艺钨微测辐射热计阵列集成芯片的设计与制作* (2014年)
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更新时间：2024-05-15 12:18:40
工程技术 论文
采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺，设计并制作了低成本4x4钨微测辐射热计阵列集成芯片。阵列中每个钨微测辐射热计均由微悬桥结构和钨热敏电阻组成，CMOS读出电路集成在阵列下方。微悬桥结构由表面牺牲层技术实现，不需要任何的光刻工艺。钨微测辐射热计像元尺寸为100μm×100μm，填充因子为20％。测试结果表明，在真空环境下，钨微测辐射热计等效热导为1.31×10-4W／K，等效热容为1.74×10-7J／K，热时间常数为1.33 ms。当红外光源的斩波频率为10 Hz时，钨微测辐射热计的电压响应