一种与CMOS工艺兼容的钨微热板* (2009年)

时间:2024-05-15 11:56:26
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文件名称:一种与CMOS工艺兼容的钨微热板* (2009年)

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更新时间:2024-05-15 11:56:26

工程技术 论文

标准CMOS工艺中的多晶硅的热性能越来越稳定,因此多晶硅微热板受到一定的限制。本文设计了一种与标准CMOS工艺兼容的钨微热板。钨在CMOS工艺中作为通孔材料连接两层金属或者金属与硅衬底。但在钨微热板的设计过程中,钨连接一层金属,构成钨电阻,作为微热板的加热和测温电阻。测量结果显示钨的温度系数是0.0015/℃,钨微热板的热阻是17℃/mW。本文的钨微热板的设计可以应用到相关的与标准CMOS工艺兼容的热传感器的设计之中。


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