微测辐射热计阵列结构的制备 (2009年)

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文件名称:微测辐射热计阵列结构的制备 (2009年)

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更新时间:2024-05-27 01:05:47

自然科学 论文

为了研究和优化二氧化钒( VO2)微测辐射热计的制备工艺,采用微电子机械系统( MEMS)体硅工艺制备了 VO2微测辐射热计,经过研究和改进制备工艺,制得的微测辐射热计结构稳定,成品率高;经测试及计算,其响应率可 达34.3 kV/W,探测率为1.2×108 cm? Hz1/2/W,响应时间约为65.3 ms。此器件性能达到国内外同类器件水平。


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