Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除 (2011年)

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文件名称：Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除 (2011年)
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更新时间：2021-05-08 20:48:04
自然科学 论文 利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对 3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进 行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1000℃,碳化时间为5 min,生长温度为1200℃,生长速度为4μm /h。对最佳工艺 条件下得到的外延层的台阶仪分析表明外延层弯曲度仅为5μm /45 mm;而外延层的XRD和AFM分析表明,3μm厚度外延层 SiC(111)半高宽为