通过 MOCVD 在 Si 衬底上异质外延 Lg=0.13-um 变质 AlInAs/GaInAs HEMT 用于逻辑应用

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文件名称：通过 MOCVD 在 Si 衬底上异质外延 Lg=0.13-um 变质 AlInAs/GaInAs HEMT 用于逻辑应用
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文件格式：PDF
更新时间：2021-05-29 01:29:30
研究论文 通过 MOCVD 在 Si 衬底上异质外延 Lg=0.13-um 变质 AlInAs/GaInAs HEMT 用于逻辑应用