通过 MOCVD 在 Si 衬底上异质外延 Lg=0.13-um 变质 AlInAs/GaInAs HEMT 用于逻辑应用

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文件名称：通过 MOCVD 在 Si 衬底上异质外延 Lg=0.13-um 变质 AlInAs/GaInAs HEMT 用于逻辑应用

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更新时间：2024-06-17 19:16:10

研究论文

通过 MOCVD 在 Si 衬底上异质外延 Lg=0.13-um 变质 AlInAs/GaInAs HEMT 用于逻辑应用