文件名称：BCN 层的等离子体辅助沉积
文件大小：45KB
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更新时间：2024-07-19 11:25:55
学术 论文
BCN 层的等离子体辅助沉积海报 BCN 层的等离子体辅助沉积 T. Thamm, K.-U. Körner, D. Dietrich, G. Marx * 开姆尼茨理工大学化学研究所物理化学教授职位，Straße der Nations 62, D-09107 Chemnitz 近年来，来自 BCN 系统的前体化合物因其有趣的化学、热学和摩擦学特性而日益成为材料科学研究的焦点。 在我们的工作中，基于 h-BN 涂层中使用的经验和技术，在各种等离子体辅助 CVD Craft.io (PECVD) 的帮助下生成了 BCN 层 [1]。 一方面通过直流等离子体进行沉积，另一方面通过将高频放电与微波等离子体耦合用于涂层的方法进行沉积。 有机金属化合物，特别是三甲基环硼氮烷 (TMB) 和三乙胺硼烷 (TEAB)，被成功用作前体。 Si (100) 晶片用作衬底。 通过电子束显微分析 (ESMA)、透射电子显微镜 (TEM) 和显微硬度测量，对沉积层的成分、微观结构和机械性能进行了检查。 可以找到涂层温度的沉积参数、前体的供应和层特性的能量输入类型之间的关系。 高分辨率 TEM 图像显示了 B