文件名称：Si衬底电沉积制备ZnO及其特性研究 (2005年)
文件大小：3.1MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-27 07:41:49
自然科学 论文
采用不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液，用阴极电沉积法在Si衬底上制备出了一系列的ZnO薄膜。实验发现ZnCl2的浓度对ZnO薄膜的结构和光学性质有着重要的影响。薄膜的X射线衍射（XRD）表明ZnCl2浓度较低时，ZnO的特征峰被衬底Si的衍射峰掩盖而较弱，当ZnCl2浓度为0.05mol/L时ZnO的特征峰非常明显。随着zncl2浓度的减小，薄膜的光致发光的发射谱变好，当ZnCl2溶液浓度为0.01moL/L时光学性能最好，此时出现两个峥，分别对应紫峰和绿峰。同时研究了沉积时间和退火对薄膜