文件名称：激光溅射沉积制备的氮化镓表面形貌分析 (2007年)
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更新时间：2024-06-21 06:38:14
自然科学 论文
利用激光溅射沉积工艺室温下在nMSi(111)基片上沉积氮化镓(GaN)薄膜,并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量,分析了薄膜生长的动力学过程,发现其表面具有自仿射分形特征。通过对高度一高度相关函数的分析,得出在此工艺条件下 GaN薄膜生长界面表现出明显的时间和空间标度特性,并且表现出较为明显的颗粒特征,粗糙度指数a随着生长时间的增加逐渐增大,生长指数β在0.42左右,薄膜生长在短时间内可以用 Kuramoto-Sivashir}sky模型来描述,当生长时间较长时,可以用Mullins扩散模型来描述－