溶胶一凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究 (2008年)

时间:2024-05-26 14:59:56
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文件名称:溶胶一凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究 (2008年)

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更新时间:2024-05-26 14:59:56

自然科学 论文

以Incl3?4H2O和SnCl4?5H2O为主要原料,采用溶胶一凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO)。用紫外一可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响。实验结果表明,最佳工艺条件为掺Sn量11%,热处理温度480℃,熟处理时间60min。在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上,薄膜的方块阻为390Ω/口。


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