溶胶一凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究 (2008年)

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文件名称：溶胶一凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究 (2008年)
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更新时间：2021-05-06 21:13:16
自然科学 论文 以Incl3?4H2O和SnCl4?5H2O为主要原料，采用溶胶一凝胶法和旋转涂膜工艺，在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜（ITO）。用紫外一可见透射光谱和四探针技术，研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响。实验结果表明，最佳工艺条件为掺Sn量11%，热处理温度480℃，熟处理时间60min。在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上，薄膜的方块阻为390Ω/口。